- 发布日期：2025-05-09 23:42 点击次数：148 迷水商城
专注于MRAM(磁阻内存)研讨的Everspin最近晓谕，继昨年底初度提供预产样品之后，目下照旧运行试产第二代STT-MRAM(自旋振荡矩磁阻内存)。
迷水商城迷水商城迷水商城MRAM是一种非易失性存储，其远景被广大看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行业巨头多年来一直齐在研讨，读写速率不错忘形SRAM、DRAM等传统内存，当同期又黑白易失性的，也便是不错断电保存数据，空洞了传统内存、闪存的有点。
迷水商城STT-MRAM则进一步通过自旋电流终了数据写入，具备结构谗谄、老本低、损耗小、速率快等一系列优点，但容量密度升迁贫窭。
迷水商城早在2012年的时候，Everspin就发布了第一代STT-MRAM，40nm工艺制造，封装在一颗DDR3法式模块中，兼容JEDEC DDR3-800，但容量唯独256Mb(32MB)，使其主要只可用于镶嵌式范围。
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最新的第二代STT-MRAM用上了GlobalFoundries 28nm制造工艺，封装于DDR4，春药商城正规厂家/正品春药商城专卖守旧8-bit或者16-bit界面，传输率1333MT/s(667MHz)，容量增大到了1Gb(128MB)，翻了两番。
迷水商城迷水商城这好像能让MRAM走进更广大的愚弄范围，但要思追上DRAM内存的存储密度还有很长的路要走，更别说忘形NAND闪存了。
迷水商城因此，在很长一段本领内，齐不太可能看到机遇STT-MRAM的内存或存储居品，但好像能终了夹杂式SSD，比如讲部分或系数DRAM缓存更换成MRAM，性能更强，还不怕掉电变砖。
事实上，IBM、希捷齐在这样作念了，近两年还齐展示了一些原型。
迷水商城迷水商城迷水商城迷水商城迷水商城Everspin还有一个专有上风，那便是独逐一个能提供幽静MRAM芯片的厂商，而在异日蹊径图上，他们谋划下一步愚弄GlobalFoundries 22nm FD-SOI工艺，进一步升迁STT-MRAM的性能和容量。
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